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Manuel d’utilisation Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25

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  • Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 - page 1

    72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL™ Architecture CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 001-15032 Rev . *D Revised February 29, 2008 Features ■ Pin-compatible and functionally equivale nt to ZBT ™ ■ Su ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 2 of 29 Logic Block Diagram – CY7C1470BV25 (2M x 36) Logic Block Diagram – CY7C1472BV25 (4M x 18) A0, A1, A C MODE BW a BW b WE CE1 CE2 CE3 OE READ LOGIC DQ s DQ P a DQ P b DQ P c DQ P d D A T A S T E E R I N G O U T P U T B U F F E R S MEMORY ARRAY E E INPUT REGISTER 0 ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 3 of 29 Logic Block Diagram – CY7C1474BV25 (1M x 72) A0, A1, A C MODE CE1 CE2 CE3 OE READ LOGIC DQ s DQ P a DQ P b DQ P c DQ P d DQ P e DQ P f DQ P g DQ P h D A T A S T E E R I N G O U T P U T B U F F E R S MEMORY ARRAY E E INPUT REGISTER 0 ADDRESS REGISTER 0 WRITE ADDRES ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 4 of 29 Pin Configurations A A A A A 1 A 0 V SS V DD A A A A A A V DDQ V SS DQb DQb DQb V SS V DDQ DQb DQb V SS NC V DD DQa DQa V DDQ V SS DQa DQa V SS V DDQ V DDQ V SS DQc DQc V SS V DDQ DQc V DD V SS DQd DQd V DDQ V SS DQd DQd DQd V SS V DDQ A A CE 1 CE 2 BW a CE 3 V DD V ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 5 of 29 Pin Configurations (continued) 165-Ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm ) Pinout CY7C1470BV25 (2M x 36) CY7C1472BV25 (4M x 18) 234 56 7 1 A B C D E F G H J K L M N P R TDO NC/576M NC/1G DQP c DQ c DQP d NC DQ d A CE 1 BW b CE 3 BW c CEN A CE2 DQ c DQ d DQ d MODE NC DQ c DQ c ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 6 of 29 Pin Configurations (continued) CY7C1474BV25 (1M × 72) 209-Ball FBGA (14 x 22 x 1.76 mm) Pi nout A B C D E F G H J K L M N P R T U V W 12 3 4 5 67 8 9 1 1 10 DQg DQg DQg DQg DQg DQg DQg DQg DQc DQc DQc DQc NC DQPg DQh DQh DQh DQh DQd DQd DQd DQd DQPd DQPc DQc DQc DQ ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 7 of 29 T able 1. Pin Definitions Pin Name IO T ype Pin Description A0 A1 A Input- Synchronous Address In puts Used to Select One of the Address Locations . Sampled at the rising edge of the CLK. BW a BW b BW c BW d BW e BW f BW g BW h Input- Synchronous Byte Write Select I ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 8 of 29 Functional Overview The CY7C1470BV25, CY7C1472BV25 , and CY7C1474BV25 are synchronous-pipel ined Burst NoBL SRAMs designed specif- ically to eliminate wait states during read or w rite transitions. All synchronous inputs pass through input registers controlled by th ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 9 of 29 access (read, write, or deselect) is latched into the Address Register (provided the ap propriate control signals are asserted). On the next clock rise the data presented to DQ and DQP (DQ a,b,c,d /DQP a,b,c,d for CY7C1470BV25, DQ a,b /DQP a,b for CY7C1472BV25, DQ a ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 10 of 29 T a ble 4. T ruth T able The truth table for CY7C1470BV25, CY7C1472BV25, and CY7C1474 BV25 follows. [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7] Operation Address Used CE ZZ ADV/LD WE BW x OE CEN CLK DQ Deselect Cycle None H L L X X X L L-H T ri-St ate Continue Deselect Cycle None X L H ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 1 1 of 29 T able 5. Partial Write Cycle Description The partial write cycle description for CY7C1470 BV25, CY7C1472BV25, and CY7 C1474BV25 follows. [1, 2, 3, 8] Function (CY7C1470BV25) WE BW d BW c BW b BW a Read H X X X X Write – No bytes written L H H H H Write Byte a ? ...

  • Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 - page 12

    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 12 of 29 IEEE 1 149.1 Serial Boun dary Scan (JT AG) The CY7C1470BV25, CY7C1472BV25 , and CY7C1474BV25 incorporates a serial boundary sca n test access port (T AP). This port operates in accordance with IEEE S tandard 1 149.1-1990 but does not have the set of functions requ ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 13 of 29 Instruction Register Three-bit instructions can be serially loa ded into the instruction register . Thi s register is loaded when it is placed b etween the TDI and TDO balls as shown i n the “T AP Controller Block Diagram” on page 12 . During power up, the inst ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 14 of 29 possible to capture all o ther signals and simply ig nore the value of the CLK captured in the boundary scan register . After the data is captured, it is possible to shift out the data by putting the T AP into the Shif t-DR state. This places the boundary scan regi ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 15 of 29 T AP AC Switching Characteristics Over the Operating Range [9, 10] Parameter Descrip tion Min Max Unit Clock t TCYC TCK Clock Cycle T ime 50 ns t TF TCK Clock Frequency 20 MHz t TH TCK Clock HIGH time 20 ns t TL TCK Clock LOW time 20 ns Output T imes t TDOV TCK Clo ...

  • Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 - page 16

    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 16 of 29 2.5V T AP AC T est Conditions Input pulse levels .................... .............. ........... .... V SS to 2.5V Input rise and fall time ............... ...................... ................ 1 ns Input timing reference levels........... .............. ........ ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 17 of 29 T able 8. Iden tification Codes Instruction Code Description EXTEST 000 Captures IO ring contents. Places the boundary scan register between TDI and TDO. Forces all SRAM outputs to High-Z state. This instruction is n ot 1 149.1-compl iant. IDCODE 001 Loads the ID r ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 18 of 29 Boundary Scan Exit Order (4M x 18) Bit # 165-Ball ID Bit # 165-Ball ID Bit # 165-Ball ID Bit # 165 -B all ID 1 D 21 4 R 42 7 L 1 0 4 0 B 1 0 2 E 21 5 P 62 8 K 1 0 4 1 A 8 3F 2 1 6 R 6 2 9 J 1 0 4 2 B 8 4G 2 1 7 R 8 3 0 H 1 1 4 3 A 7 5J 1 1 8 P 3 3 1 G 1 1 4 4 B 7 6 ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 19 of 29 Maximum Ratings Exceeding maximum ratin gs may impair the useful life o f the device. These user guidelines are not teste d. S torage T emperature ..................... ............ –65°C to +150°C Ambient T emperatur e with Power Applied ...................... ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 20 of 29 I SB3 Automatic CE Power Down Current—CMOS Inputs Max. V DD , Device Deselected, V IN ≤ 0.3V or V IN > V DDQ − 0.3V , f = f MAX = 1/t CYC 4.0-ns cycle, 250 MHz 200 mA 5.0-ns cycle, 200 MHz 200 mA 6.0-ns cycle, 167 MHz 200 mA I SB4 Automatic CE Power Down C ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 21 of 29 Switching Characteristics Over the Operating R ange. Timing reference is 1.25V when V DDQ = 2.5V . T est conditions shown in (a) of “AC T est Loads and W aveforms” on page 20 unless otherwise noted. Parameter Descript ion –250 –200 –167 Unit Min Max Min M ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 22 of 29 Switching W aveforms Figure 6 shows read-write timing waveform. [19, 20, 21] Figure 6. Read/W rite Timing WRITE D(A1) 123 456789 CLK t CYC t CL t CH 10 CE t CEH t CES WE CEN t CENH t CENS BW x ADV/LD t AH t AS ADDRESS A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 t DH t DS Data I n-Out (DQ ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 23 of 29 Figure 7 shows NOP , ST ALL and D ESELECT Cycles waveform. [19, 20, 22] Figure 7. NOP , ST ALL and DESELECT Cycles Figure 8 shows ZZ Mode timing wavefo rm. [23, 24] Figure 8. ZZ Mode Timing Switching W aveforms (continued) READ Q(A3) 456 789 1 0 CLK CE WE CEN BWx A ...

  • Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 - page 24

    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 24 of 29 Ordering Information Not all of the speed, package and temperatur e ranges are available. Please contact y our local sales represe ntative or visit www .cypress.com for actual products offered. Spe ed (MHz) Ordering C ode Package Diagram Part and Package T ype Oper ...

  • Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 - page 25

    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 25 of 29 250 CY7C1470BV25-250AXC 51-85 050 100-pin Thin Quad Flat Pack (1 4 x 20 x 1.4 mm) Pb-Free Commercial CY7C1472BV25-250AXC CY7C1470BV25-250BZC 51-85165 165-ball Fin e-Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) CY7C1472BV25-250BZC CY7C1470BV25-250BZXC 51-85165 165-ball ...

  • Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 - page 26

    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 26 of 29 Package Diagrams Figure 9. 100-Pin Thin Plastic Qu ad Flatpack (14 x 20 x 1.4 mm), 51-85050 NOTE: 1. JEDEC STD REF MS-026 2. BODY LENGTH DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION/END FLASH MOLD PROTRUSION/END FLASH SHALL NOT EXCEED 0.0098 in (0.25 mm) PER SIDE 3. ...

  • Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 - page 27

    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 27 of 29 Figure 10. 165-Ball F BGA (15 x 17 x 1 .4 mm), 51-85165 Package Diagrams (continued) A 1 PIN 1 CORNER 17.00±0.10 15.00±0.10 7.00 1.00 Ø0.45±0.05(165X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.35 1.40 MAX. SEATING PLANE 0.53±0.05 0.25 C 0.15 C PIN 1 CORNER TOP ...

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    CY7C1470BV25 CY7C1472BV25, CY7C1474BV25 Document #: 001-15032 Rev . *D Page 28 of 29 Figure 1 1. 209-Ball FBGA (14 x 22 x 1.76 mm), 51-85167 Package Diagrams (continued) 51-85167-* * [+] Feedback ...

  • Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 - page 29

    Document #: 001-15032 Rev . *D Re vised February 29, 2008 Page 29 of 29 NoBL and No Bu s Latency are trademar ks of Cypress Semicondu ctor Co rporation. ZBT is a trademark of Integrat ed Device T echn ology , Inc. All products and company names me ntioned in this document may be the tr ademarks of their respe ctive hold er s. CY7C1470BV25 CY7C1472B ...

Fabricant Cypress Semiconductor Catégorie Computer Hardware

Les documents que nous recevons du fabricant de l'appareilCypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 peuvent être divisés en plusieurs groupes. Ceux-ci sont, entre autres:
- dessins techniques Cypress Semiconductor
- manuels d’utilisations NoBL CY7C1470BV25
- fiches produit Cypress Semiconductor
- dépliants
- ou étiquettes-énergie Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25
Tous sont importants, mais les informations les plus importantes du point de vue de l'utilisation de l'appareil se trouvent dans le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25.

Un groupe de documents appelé manuels d’utilisation est également divisé en types plus spécifiques, tels que: Manuels d’installation Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25, manuels d’entretien, brefs manuels ou manuels de l’utilisateur Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25. Selon vos besoins, vous devriez chercher le document dont vous avez besoin. Sur notre site, vous pouvez voir le manuel le plus populaire d’utilisation du produit Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25.

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Le manuel d’utilisation, également appelé le mode d’emploi, ou tout simplement le manuel, est un document technique destiné à aider à utiliser Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 par les utilisateurs. Des manuels sont généralement écrits par un rédacteur technique, mais dans un langage accessible à tous les utilisateurs Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25.

Le manuel d’utilisation complet Cypress Semiconductor, devrait inclure plusieurs éléments de base. Certains d'entre eux sont moins importants, tels que: la couverture / page de titre ou pages d'auteur. Cependant, la partie restante, devrait nous fournir des informations importantes du point de vue de l'utilisateur.

1. Introduction et des conseils sur la façon d'utiliser le manuel Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 - Au début de chaque manuel, nous devrions trouver des indices sur la façon d'utiliser le document. Il doit contenir des informations sur l'emplacement de la table des matières Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25, FAQ ou des problèmes les plus fréquents - les points qui sont les plus souvent recherchés par les utilisateurs de chaque manuel
2. Table des matières - index de tous les conseils pour lCypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 qui peuvent être trouvés dans le document courant
3. Conseils sur la façon d'utiliser les fonctions de base de l’appareil Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 - qui devraient nous aider dans les premières étapes lors de l'utilisation Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25
4. Troubleshooting - séquence systématique des activités qui nous aideront à diagnostiquer et ensuite résoudre les principaux problèmes de Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25
5. FAQ - questions fréquemment posées
6. Détails du contact Informations sur l'endroit où chercher le contact avec le fabricant / service Cypress Semiconductor NoBL CY7C1470BV25 dans un pays donné, si le problème ne peut être résolu par nous-mêmes.

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