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Manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1303BV25

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  • Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 - page 1

    18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with Q DR™ Ar c hi tectu r e CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Cou rt • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2 600 Document #: 38-05627 Rev . *A Revised April 3, 2006 Features • Separate independent Read and Write data ports — Supports concurrent transactions • ...

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 2 of 19 512Kx18 CLK A (18:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add. Decode Read Data Reg. RPS WPS Q [17:0] Control Logic Address Register Reg. Reg. Reg. 18 19 18 36 Wri te 18 BWS 0 Vr e f Write Add. Decode Data Reg Writ e Dat a Reg Memory Array 512Kx18 Memory Array 18 ...

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 3 of 19 Pin Configuration 165-ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm ) Pinout CY7C1303BV25 (1M x 18 ) 1 2 3456 7 8 9 1 0 1 1 A NC Gnd/ 144M NC/ 36M WPS BWS 1 K NC RPS A Gnd/ 72M NC B NC Q9 D9 A NC K BWS 0 AN C N C Q 8 C NC NC D10 VSS A A A VSS NC Q7 D8 D NC D1 1 Q10 VSS VSS VSS VSS VSS NC NC D7 E NC ...

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 4 of 19 Pin Definitions Name I/O Description D [x:0] Input- Synchronous Data input signals, sampled on the rising edge of K and K clocks during valid write opera- tions. CY7C1303BV25 – D [17:0] CY7C1306BV25 – D [35:0] WPS Input- Synchronous Write Port Select, active LOW . Sampled on t ...

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 5 of 19 Introduction Functional Overview The CY7C1303BV25/CY7C1306BV25 are synchro nous pipelined Burst SRAM equ ipped with both a Read port an d a Write port. The Read port is dedicated to Read operations and the Write port is dedicated to Write operations. Data flows into the SRAM throu ...

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 6 of 19 operation is identi cal to the operation if the device had zero skew between the K/K and C/C clocks. All timing parameters remain the same i n thi s mo de . T o use this mode of ope r a ti on , the user must tie C and C HIGH at power-up.This function is a strap option and not alte ...

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 7 of 19 Write Desc riptions (CY7C1303BV25) [2 , 8] BWS 0 BWS 1 KK Comment s L L L-H - During the Data portion of a W ri te sequence, both bytes (D [17:0] ) are written into the device. L L - L-H During the Data portion of a W rite sequence, both bytes (D [17:0] ) are written into the devi ...

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 8 of 19 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial bo undary scan test access port (T AP) in the FBGA package. This part is fully compliant with IEEE S tandard #1 149.1-1900. The T AP operates using JEDEC standard 2.5V I/O logi c levels. Disabling the JT AG ...

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 9 of 19 is loaded into the instruction register upon power-up or whenever the T AP controller is given a test logic reset state. SAMPLE Z The SAMPLE Z instruction caus es the b oundary scan register to be connected between th e TDI and TDO pins when th e T AP controller is in a Shift-DR s ...

  • Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 - page 10

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 10 of 19 T AP Controller S tate Diagram [9] Note: 9. The 0/1 next to each state re present s the value at TMS at the rising edge of TCK. TEST -LOGIC RESET TEST -LOGIC/ IDLE SELECT DR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -DR EXIT1-DR P AUSE-DR EXIT2-DR UPDA TE-DR SELECT IR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -IR EXIT1 ...

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 1 1 of 19 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristi cs Over the Operating Rang e [10, 14, 17] Parameter Description T est Conditions Min. Max. Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.0 mA 1.7 V V OH2 Output HIGH V oltage I OH = − 100 µ A2 . 1 V V OL1 Output LOW V ...

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 12 of 19 Output Times t TDOV TCK Clock LOW to TDO V alid 20 ns t TDOX TCK Clock LOW to TDO Invalid 0 ns T AP T iming and T est Conditions [1 2] T AP AC Switching Characte ristics Over the Operating Range [1 1, 12] (continued) Parameter Description Min. Max. Unit (a) TDO C L = 20 pF Z 0 = ...

  • Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 - page 13

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 13 of 19 Scan Register Sizes Register Name Bit Size Instruction 3 Bypass 1 ID 32 Boundary Scan 107 Instruction Codes Instruction Code Description EXTEST 000 Captures the In put/Output ring contents. IDCODE 001 Loads the ID register with the ve ndor ID code and places the re gister between ...

  • Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 - page 14

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 14 of 19 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 27 11 H 54 7B 81 3G 1 6P 28 10G 55 6B 82 2G 2 6N 29 9G 56 6A 83 1J 3 7P 30 11 F 57 5B 84 2J 4 7N 31 11 G 58 5A 85 3K 5 7R 32 9F 59 4A 86 3J 6 8R 33 10F 60 5C 87 2K 7 8P 34 11 E 61 4B 88 1K 8 9R 35 10 ...

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 15 of 19 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired.) S torage T emperature ............. .............. ..... –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied ........... ............................ ..... – 55°C to + 125°C Supply V oltage on V DD Relati ...

  • Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 - page 16

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 16 of 19 Cap acit ance [23] Parameter Description T est Conditions Max. Unit C IN Input Capacitance T A = 25°C, f = 1 MHz, V DD = 2.5V . V DDQ = 1.5V 5p F C CLK Clock Input Capacitance 6 pF C O Output Capacitance 7 pF AC T est Loads and W aveforms Switching Characteristics Over the Opera ...

  • Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 - page 17

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 17 of 19 Switching W aveforms [25, 26, 27] Notes: 24. t CHZ , t CLZ , are specified with a load capa cit ance of 5 pF as in part (b) of AC T est Loads. Transition is m easured ± 100 mV from steady-st ate voltag e. 25. Q00 refers to output from address A0. Q01 ref ers to output from the n ...

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 18 of 19 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wi t hou t n oti ce. C ypr ess S em ic onduct or Corporation assumes no resp onsibility f or the u se of any circuitry o ther than circui try embodied i n a Cypress ...

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 19 of 19 Document History Page Document Title: CY7C1303BV25/CY7C1306BV25 18 -Mbit Burs t of 2 Pipelined SRAM with QDR™ Architecture Document Number: 38-05627 REV . ECN NO. Issue Date Orig. of Change Description of Change ** 25301 0 See ECN SYT New Data Sheet *A 43686 4 See ECN NXR Conve ...

Fabricant Cypress Semiconductor Catégorie Computer Hardware

Les documents que nous recevons du fabricant de l'appareilCypress Semiconductor CY7C1303BV25 peuvent être divisés en plusieurs groupes. Ceux-ci sont, entre autres:
- dessins techniques Cypress Semiconductor
- manuels d’utilisations CY7C1303BV25
- fiches produit Cypress Semiconductor
- dépliants
- ou étiquettes-énergie Cypress Semiconductor CY7C1303BV25
Tous sont importants, mais les informations les plus importantes du point de vue de l'utilisation de l'appareil se trouvent dans le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1303BV25.

Un groupe de documents appelé manuels d’utilisation est également divisé en types plus spécifiques, tels que: Manuels d’installation Cypress Semiconductor CY7C1303BV25, manuels d’entretien, brefs manuels ou manuels de l’utilisateur Cypress Semiconductor CY7C1303BV25. Selon vos besoins, vous devriez chercher le document dont vous avez besoin. Sur notre site, vous pouvez voir le manuel le plus populaire d’utilisation du produit Cypress Semiconductor CY7C1303BV25.

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Manuel d’utilisation complet de l’appareil Cypress Semiconductor CY7C1303BV25, quelle devrait-elle être?
Le manuel d’utilisation, également appelé le mode d’emploi, ou tout simplement le manuel, est un document technique destiné à aider à utiliser Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 par les utilisateurs. Des manuels sont généralement écrits par un rédacteur technique, mais dans un langage accessible à tous les utilisateurs Cypress Semiconductor CY7C1303BV25.

Le manuel d’utilisation complet Cypress Semiconductor, devrait inclure plusieurs éléments de base. Certains d'entre eux sont moins importants, tels que: la couverture / page de titre ou pages d'auteur. Cependant, la partie restante, devrait nous fournir des informations importantes du point de vue de l'utilisateur.

1. Introduction et des conseils sur la façon d'utiliser le manuel Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 - Au début de chaque manuel, nous devrions trouver des indices sur la façon d'utiliser le document. Il doit contenir des informations sur l'emplacement de la table des matières Cypress Semiconductor CY7C1303BV25, FAQ ou des problèmes les plus fréquents - les points qui sont les plus souvent recherchés par les utilisateurs de chaque manuel
2. Table des matières - index de tous les conseils pour lCypress Semiconductor CY7C1303BV25 qui peuvent être trouvés dans le document courant
3. Conseils sur la façon d'utiliser les fonctions de base de l’appareil Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 - qui devraient nous aider dans les premières étapes lors de l'utilisation Cypress Semiconductor CY7C1303BV25
4. Troubleshooting - séquence systématique des activités qui nous aideront à diagnostiquer et ensuite résoudre les principaux problèmes de Cypress Semiconductor CY7C1303BV25
5. FAQ - questions fréquemment posées
6. Détails du contact Informations sur l'endroit où chercher le contact avec le fabricant / service Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 dans un pays donné, si le problème ne peut être résolu par nous-mêmes.

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