Русский dropdown-ico

Инструкция обслуживания Cypress nvSRAM

24 страниц 0.87 mb
Скачать

Перейти на страницу of 24

Summary
  • Cypress nvSRAM - page 1

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N 2 Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 001-45754 Rev . *B Revised November 10, 2008 Features ■ 20 ns, 25 ns, and 45 ns Access Times ■ Internally organized as 256K x 8 (CY14B102L) or 128K x 16 (CY14B102 ...

  • Cypress nvSRAM - page 2

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 2 of 24 Pinout s Figure 1. Pin Diagram - 48 FBG A Figure 2. Pin Diag ram - 44 Pin TSOP II 48-FBGA (not to scale) Top View (x8) 48-FBGA (not to scale) Top View (x16) WE V CC A 11 A 10 V CAP A 6 A 0 A 3 CE NC NC DQ0 A 4 A 5 NC DQ2 DQ3 NC V SS A 9 A 8 OE V SS A 7 NC NC NC A 17 A 2 A ...

  • Cypress nvSRAM - page 3

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 3 of 24 Figure 3. Pin Diagram - 54 Pi n TSOP II (x16) Pin Definitions Pin Name IO T ype Description A 0 – A 17 Input Address Inputs Used to Select one of the 262,144 bytes of the nvSRAM for x8 Co nfiguration . A 0 – A 16 Address Inputs Used to Select one of the 131,072 words o ...

  • Cypress nvSRAM - page 4

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 4 of 24 Device Operation The CY14B102L/CY1 4B102N nvSRAM is made up of two functional components paired in the same physical cell. They are an SRAM memory cell and a nonvola tile QuantumTrap cell. The SRAM memory cell operates as a standard fast static RAM. Data in the SRAM is tra ...

  • Cypress nvSRAM - page 5

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 5 of 24 completion of the STORE operation, the CY14B102L/CY14B102N remains disab led until the HSB pin returns HIGH. Lea ve the HSB unconnected if it is not used. Hardware RECALL (Power Up) During power up or after any low power condition (V CC <V SWITCH ), an internal RECALL r ...

  • Cypress nvSRAM - page 6

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 6 of 24 Preventing AutoStore The AutoS t ore function is disabled by initiating an AutoS tore disable sequence. A sequence of read ope rations is performed in a manner similar to the software STORE initiation. T o initiate the AutoS tore disa ble sequence, the followi ng sequence ...

  • Cypress nvSRAM - page 7

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 7 of 24 Maximum Ratin gs Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the device. These user guid elines are not tested. S torage T emperature .......... ....................... –65 ° C to +150 ° C Maximum Accumulated Storage T ime ............At 150 ° C Ambient T ...

  • Cypress nvSRAM - page 8

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 8 of 24 AC T est Conditions Input Pulse Levels ......... ............... .............. .............. 0V to 3V Input Rise and Fall T imes (10% - 90%)...... .............. .... < 3 ns Input and Output T iming Reference Levels . ............... .... 1.5V Dat a Retention and Endu ...

  • Cypress nvSRAM - page 9

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 9 of 24 AC Switching Characteristics Parameters Description 20 ns 25 ns 45 ns Unit Cypress Parameters Alt Parameters Min Max Min Ma x Min Max SRAM Read Cycle t ACE t ACS Chip Enable Access Time 20 25 45 ns t RC [15] t RC Read Cycle T ime 20 25 45 ns t AA [16] t AA Address Access T ...

  • Cypress nvSRAM - page 10

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 10 of 24 Figure 7. SRAM Read Cycl e #2: CE and OE Controlled [3, 15, 19] Figure 8. SRAM Write Cycle #1: WE Controlled [3, 18, 19, 20] $GGUHVV9D OLG $G GUH VV 'DWD2XWSXW 2XWS XW 'DWD9D OL G 6W DQGE $FWL YH +L JK ,P S HG DQ FH &( 2( %+(%/ ( , &am ...

  • Cypress nvSRAM - page 11

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 1 1 of 24 Figure 9. SRAM Write Cycle #2: CE Controlled [3 , 18, 19, 20] Figure 10. SRAM Write Cycle #3: BHE and BLE Controlled [3, 18, 19, 20] 'D WD  2XW SX W 'DWD,QSXW ,QSXW 'D WD9DO LG +L JK ,P SH G DQ FH $GGUHVV9 DOLG $GGUHV V W :& W 6' ...

  • Cypress nvSRAM - page 12

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 12 of 24 AutoStore/Power Up RECALL Parameters Descrip tion 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t HRECALL [21] Power Up RECALL Duration 20 20 20 ms t STORE [22] ST ORE Cycle Duration 8 8 8 m s t DELA Y [23] Time Allowed to Complete SRAM Cycle 20 25 25 ns V SWITCH Low V o ...

  • Cypress nvSRAM - page 13

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 13 of 24 Sof tware Controlled STORE/RECALL Cycle In the following table, the so ftware c o ntrolled STORE/RECALL cycle p arameters are listed. [26, 27] Parameters Description 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t RC STORE/RECALL Initiation Cycle T ime 20 25 45 ns t SA A ...

  • Cypress nvSRAM - page 14

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 14 of 24 Hardware STORE Cycle Parameters Descrip tion 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t DHSB HSB T o Outp ut Active Time when write latch not set 20 25 25 ns t PHSB Hardware STORE Pulse Wid t h 15 15 15 ns t SS [28, 29] Soft Sequence Proc essing T ime 100 1 00 100 ? ...

  • Cypress nvSRAM - page 15

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 15 of 24 T ruth T able For SRAM Operations HSB should remain HIGH for SRAM Operations. For x8 Configuration CE WE OE Inputs/Outputs [2 ] Mode Power H X X High Z Deselect/Power down S tandby L H L Data Out (DQ 0 –DQ 7 ); Read Active L H H High Z Output Disabled Active L L X Data ...

  • Cypress nvSRAM - page 16

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 16 of 24 Ordering Information Speed (ns) Ordering Code Package Diagram Package T yp e Operating Range 20 CY14B102L-ZS20XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS20XIT 51-85087 44-pin TSOP II Industrial CY14B102L-ZS20XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B102L-ZS20XA T 51-85087 4 ...

  • Cypress nvSRAM - page 17

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 17 of 24 25 CY14B102L-ZS25XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS25XIT 51-85087 44-p in TSOP II Industrial CY14B102L-ZS25XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B102L-ZS25XA T 51-85087 44-p in TSOP II Automotive CY14B102N-BA25XCT 51-85128 48-ball FBGA Commercial CY14B102L-BA25X ...

  • Cypress nvSRAM - page 18

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 18 of 24 45 CY14B102L-ZS45XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS45XIT 51-85087 44-p in TSOP II Industrial CY14B102L-ZS45XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B102L-ZS45XA T 51-85087 44-p in TSOP II Automotive CY14B102L-BA45XCT 51-85128 48-b all FBGA Commercial CY14B102L-BA45 ...

  • Cypress nvSRAM - page 19

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 19 of 24 Part Numbering Nomenclature Option: T - T ape & Reel Blank - S td. S peed: 20 - 20ns 45 - 45 ns Data Bus : L - x8 N - x16 Density: 102 - 2 Mb V oltage: B - 3.0V Cypress CY 14 B 102 L - ZS P 20 X C T NVSRAM 14 - Auto Store + Software Store + Hardware Store T em perat u ...

  • Cypress nvSRAM - page 20

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 20 of 24 Package Diagrams Figure 16. 44-Pin TSOP II (51-85087) MAX MIN. DIMENSION IN MM (INCH) 11.938 (0.470) PLANE SEATING PIN 1 I.D. 44 1 18.517 (0.729) 0.800 BSC 0° -5° 0.400(0.016) 0.300 (0.012) EJECTOR PIN R G O K E A X S 11.735 (0.462) 10.058 (0.396) 10.262 (0.404) 1.194 ( ...

  • Cypress nvSRAM - page 21

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 21 of 24 Figure 17. 48 -Ball FBGA - 6 mm x 10 m m x 1.2 mm (51 -85128) Package Diagrams (continued) A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.20 MAX C SEATING PLANE 0.53±0.05 0.25 C 0.15 C A1 CORNER TOP VIEW BOTTOM VIEW 2 3 4 3. ...

  • Cypress nvSRAM - page 22

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 22 of 24 Figure 18. 54-Pin TSOP II (51-85160) Package Diagrams (continued) 51-85160 -** [+] Feedback ...

  • Cypress nvSRAM - page 23

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 23 of 24 Document History Page Document Title: CY14B102L/CY14B102N 2 Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM Document Number: 001-45754 Rev . ECN No. Submission Date Orig. of Change Description of Change ** 2470086 GVCH New Data Sheet *A 2522209 GVCH/AESA 06/27/2008 Added Automo tive tem ...

  • Cypress nvSRAM - page 24

    Document #: 001-45754 Rev . *B Revised November 10, 2008 Page 24 of 24 AutoS tore and QuantumT rap are registe red trademarks of Simtek Co rporation. All product s and company name s mentioned in this doc ument are the tr ademarks of thei r respective hol ders. PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N © Cypress Semiconducto r Corporatio n, 2008. The infor ...

Производитель Cypress Категория Computer Hardware

Документы, которые мы получаем от производителя устройства Cypress nvSRAM мы можем разделить на несколько групп. Это в частности:
- технические чертежи Cypress
- инструкции обслуживания nvSRAM
- паспорта изделия Cypress
- информационные брошюры
- энергетические этикетки Cypress nvSRAM
Все из них важны, однако самую важную информацию с точки зрения пользователя мы найдем в инструкции обслуживания Cypress nvSRAM.

Группа документов, определяемая как инструкции обслуживания, делится также на более подробные типы, такие как: Инструкции монтажа Cypress nvSRAM, инструкции обслуживания, короткие инструкции или инструкции пользователя Cypress nvSRAM. В зависимости от потребностей, Вам необходимо поискать требуемый документ. На нашем сайте Вы можете просмотреть самую популярную инструкцию использования изделия Cypress nvSRAM.

Похожие инструкции обслуживания

Полная инструкция обслуживания устройства Cypress nvSRAM, как должна выглядеть?
Инструкция обслуживания, определяемая также как пособие пользователя, или просто "руководство" - это технический документ, цель которого заключается в использовании Cypress nvSRAM пользователями. Инструкции пишет, как правило технический писатель, языком, доступным для всех пользователей Cypress nvSRAM.

Полная инструкция обслуживания Cypress, должна заключать несколько основных элементов. Часть из них менее важная, как например: обложка / титульный лист или авторские страницы. Однако остальная часть, должна дать нам важную с точки зрения пользователя информацию.

1. Вступление и рекомендации, как пользоваться инструкцией Cypress nvSRAM - В начале каждой инструкции, необходимо найти указания, как пользоваться данным пособием. Здесь должна находится информация, касающаяся местонахождения содержания Cypress nvSRAM, FAQ и самых распространенных проблем - то есть мест, которые чаще всего ищут пользователи в каждой инструкции обслуживания
2. Содержание - индекс всех советов, касающихся Cypress nvSRAM, которое найдем в данном документе
3. Советы по использованию основных функций устройства Cypress nvSRAM - которые должны облегчить нам первые шаги во время использования Cypress nvSRAM
4. Troubleshooting - систематизированный ряд действия, который поможет нам диагностировать а в дальнейшем очередность решения важнейших проблем Cypress nvSRAM
5. FAQ - чаще всего задаваемые вопросы
6. Контактные данные Информация о том, где искать контактные данные производителя / сервисного центра Cypress nvSRAM в данной стране, если самостоятельно не получится решить проблему.

У вас вопрос, касающийся Cypress nvSRAM?

Воспользуйтесь формуляром, находящимся ниже

Если с помощью найденной инструкции Вы не решили свою проблему с Cypress nvSRAM, задайте вопрос, заполнив следующий формуляр. Если у какого то из пользователей была похожая проблема с Cypress nvSRAM со всей вероятностью он захочет поделиться методом ее решения.

Перепишите текст с картинки

Captcha
Новая картинка

Комментарии (0)